이번에는 LME49830를 써서 출력석을 MOSFET로 구성해보았습니다.

출력석은 2 패럴렐로 하여 제작했습니다.

 

 

 

MOSFET K135 J50은   Lateral type의 MOSFET로  과거에 많이 사용된  유명한 소자이지만  지금은 단종되어 구하기 쉽지 않은 소자입니다.

이것의 몰드형인 K1058 J162는 지금도 생산되어 비교적 구하기 쉬우나,  제 수중에 있어서 K135 J50으로 구현하였습니다. 개인적으로는 TO-3 타입의 소자를 선호합니다.

 

 

 

 

LME49830은 MOSFET 출력석을 사용하는 전압증폭 IC입니다.  수mA 출력이나 전원 전압이 높아서 발열하므로 방열판을 부착하였습니다.

개별소자를 사용하였을 때 보다 페어매칭과 회로설계의 수고를  덜어 주어 간단하게 고성능의 파워앰프를 구현할 수 있습니다. 왜율 특성이 매우 우수합니다. 

 

 

 

 

 

 

 

MOSFET의 게이트 DC 전류는 흐르지 않지만, 게이트용량은 수백pF으로 높고, 여기에  충방전 전류를 빠르게 흘려 주기 위한 드라이버 TR을 추가할 수 있도록 하였지만

 이번에는 드라이버 TR을 생략하고 제작합니다.  출력석을 최대 3 패럴렐까지 달 수 있지만 방열판 높이를 고려하여 2패럴렐로 갑니다.

K135/J50은  음의 온도계수를 갖으므로(모든 MOSFET가 음의 온도계수는 아닙니다)  온도보상 바이어스 TR Q6은 출력석 방열판에 부착하지 않습니다. 아이들링 전류는 출력석 1개당 250mA로 하였습니다. 0.5A의 아이들링 전류이므로  4W 까지는 A급으로 동작합니다. MOSFET의 경우 아이들링 전류는 높게 잡을수록 출력석의 출력 임피던스는 낮아지고 cross over distortion이 줄어 듭니다. 

 

왜율 특성은 괜찮게 나온 것 같습니다(VP-7721A로 측정).  이전에 만들었던 구보다식 파워앰프(암프제작키이포인트 서적에서 소개) 보다 우수한 것 같습니다

 

구형파 응답특성은 링잉없이 잘 동작합니다.. 슬루레이트는 약 25V/us 정도 나옵니다..

나머지 한쪽도 만들어서 소리를 들어보려합니다..