공제한 LME49810/LME49830 겸용 파워앰프는 MOSFET로 제작하시려면 LME49830 를 사용하시면 됩니다.

 

 

하기의 회로와 부품리스트는 MOSFET 버전입니다. 최종 회로도는 아니고  그냥 참조하세요.  튜닝 후 최종회로도는 공지 하겠습니다  

 이렇게 하여 조립해서 글 올린 것이 있으니 자작방- 다른 자작품에 제가 특성을 측정하여 올린 글이 있습니다.  참조하세요..

회로는 동일하고 차이점은  공제PCB는  GND를 전압증폭단과 출력단을 분리했는데 이는 출력전류가 높으면 배선의 전압강하에 의해 전원rail이 신호에 의해 흔들립니다

전류파형은 AB급 증폭이므로 신호의 반파 파형으로 흐르고, 대용량 디커플링 콘덴서(C3, C16)에 이러한 리플전류가 흐르고 GND를 지저분하게 만들수 있습니다.

전압증폭단에 리플전류에 의한  간섭을 없애기 위해 GND를 분리했습니다.   GND 단자는  2개입니다.   배선 하실때 2개 모두 배선하시고 전원부 기판의 GND에서 만나도록 합니다.

MOSFET는 TO-3 타입인 히타치의 2SK135/2SJ50 또는 엑시콘의 ECF10N16/ECF10P16 은 전선으로 배선하므로 문제 없지만, TO-3P의 플라스틱 몰드 타입으로 하시려면 극성이  GDS 순서인 MOSFET를 사용해야합니다.  가운데가 콜렉터인  BJT 출력석도 사용해야 하기 때문에 어쩔 수 없이 출력석의 가운데가 드레인이 된 것입니다. 가운데가 드레인인 MOSFET 2SK1530/2SJ201 이나 IRFP240/IRFP9240 은 그대로 사용할 수 있습니다.  가운데가 소스인 히타지  2SK1058/2SJ162 는 바로 사용이 안되고 칼질하고 점퍼 날려야 합니다.    

앞서 글 올린대로 Lateral 타입의 MOSFET (2SK135/2SKJ50) 를 사용해서 조립하여 집에서 잘쓰고 있으나,  Vertical  type의 MOSFET(K1530/J201, IRFP240/9240) 사용시 회로에서 약간의 튜닝이 필요합니다.  추후 실험해서 변경점을 알려드리겠습니다.

드라이버 트랜지스터는 사용하지 않았지만,  사용할 경우 MOSFET의 게이트 용량을 빠르게 충방전 할 수 있어 특성의 개선을 기대할 수 있습니다.  드라이버 TR을 다실 분은  R6, R29는 제거하고  Q1, Q8을 TO-220 타입의 2SA1011/2SC2344 나 2SA1930/2SC5171,  MJE15030/MJE15031  등의 드라이버 TR을 다시길 바랍니다.  오실로스코프로 발진여부는 확인하고 조정할 필요는 있습니다.