골드문트 파워앰프  출력석 K135 J50을 사용하여 측정한 결과 입니다

히타지제  TO-3 캔타입의  K135 J50은 MOSFET로 lateral 구조의 MOSFET입니다.

애석하게도 93년 쯤에 단종된 것으로 오리지널 골드문트 파워앰프에 사용된 유명한 소자입니다.

지금은 르네사스에서 K1058/J162 로 TO-3P 플라스틱 몰드타입으로 생산됩니다.  Data sheet를 비교하면 거의  특성은  동일합니다.   

 

방열판 높이을 고려하면 출력석을 2 패럴렐로 하였습니다.  처음에는 회로를 저번에 올린 K1058/J162와 동일하게 시험을 했습니다.

그러나,  아래 파형과 같이 기생발진하는 경우가 발생했습니다.  처음 전원 투입시 몇초정도 발진하다가 출력석이 가열되면서 발진이 사라지는 현상이 발견되었습니다.

 K1058/J162을 사용할 경우는 문제가 없습니다.  K135/J162 를 전선으로 배선해야 하고 전선길이가 길어지면서 인덕턴스의 증가에 의한 발진으로 추정됩니다.

 아래회로도에서 C7, C6의 용량을 증가시켜도 발진이 없어지지 않는 것으로 보아 전압증폭단의 문제는 아닙니다. 

 발진을 잡기 위해 출력석의 게이트와 직렬로 연결되는 저항(stopper 저항이라 부름) R24, R25, R26, R27, R28, R29의 저항 값을 470옴으로 증가하였을 때 발진이 사라졌습니다. 

 이는 출력석에서 인턱던스에 의해 부성저항(nagative resistance)이 발생하고(전압과 전류의 위상이 180도 인 성분)이 원인인 발진으로 게이트에 직렬저항을 넣어서 발진을 막아야 합니다.  

 골드문트 파워앰프의 출력석을 K135/J50과 같은 캔타입을 사용하거나 출력석의 배선이 길어질 경우에는  R24, R25, R26, R27, R28, R29은 470옴을 사용하길 권장합니다.

 

stopper 저항을 넣은 후 안정시키고 60Vp-p 구형파로  응답특성을 측정해보았습니다.  약간  over-shoot/under-shoot가 있지만  거의 K1058/J162를 사용했을 때와 비슷합니다

slew rate는 게이트 저항 값의 증가로 약간 낮아졌으나  60V/us 이상으로 빠른 응답특성을 나타냅니다.

 

 

왜율은  K1058/J162를 사용했을 때와 거의 비슷하게 측정되며, 20kHz 120W RMS 출력에서 0.05% 이내로 측정됩니다.

역시나 출력이 증가할 수 록, 주파수가 증가할 수록 왜율은 증가하는 일반적인 특성을 나타냅니다.